不同频率下非晶纳米晶剩余损耗具有以下特点：
一 、低频段（50Hz-10kHz）
1 、损耗相对较低：
在低频时 ，非晶纳米晶材料的磁滞损耗和涡流损耗相对较小 ，剩余损耗也处于较低水平。因为低频下，材料内部磁畴翻转和磁通变化相对缓慢 ，磁致伸缩等引起的额外损耗不明显 。例如在 50Hz 的电力系统中 ，非晶纳米晶变压器铁芯的剩余损耗相比于传统硅钢片铁芯大幅降低，能有效提高变压器的效率 。
2 、磁滞损耗占比相对较高 ：
虽然整体损耗低，但磁滞损耗在总损耗中所占比例相对其他高频段较高 。这是由于低频下磁畴翻转相对容易 ，而涡流损耗和其他高频相关的损耗机制还未充分发挥作用 。
二、中频段（10kHz-50kHz）
1 、剩余损耗开始上升：
随着频率升高 ，磁畴翻转速度加快，涡流效应逐渐增强，导致剩余损耗开始上升。不过，非晶纳米晶材料由于具有较高的电阻率，在一定程度上抑制了涡流损耗的快速增长，所以剩余损耗的上升相对较为平缓。
2 、磁致伸缩效应影响凸显 ：
在中频段，磁致伸缩效应产生的能量损耗在剩余损耗中的占比逐渐增加 。磁致伸缩会导致材料内部产生应力变化 ，进而引起额外的能量损耗，并且这种损耗与频率有关，随着频率升高而增加。
三、高频段（50kHz-100kHz 及以上）
1、剩余损耗增长加快：
当频率进一步升高到 50kHz 以上 ，剩余损耗会随着频率的增加而快速增长。这是因为高频下涡流损耗和磁致伸缩损耗等都显著增大 ，同时材料内部的磁畴壁运动更加复杂，磁畴壁的振动、弯曲和断裂等现象加剧 ，导致额外的能量损耗大幅增加 。
2、对材料特性和工艺敏感：
在高频段 ，非晶纳米晶材料的剩余损耗对材料的成分、微观结构以及制备工艺等因素非常敏感 。例如 ，材料中的杂质含量、晶粒尺寸分布、热处理工艺等都会对高频下的磁性能和剩余损耗产生重要影响。通过优化材料成分和制备工艺 ，可以在一定程度上降低高频剩余损耗，但总体来说，高频下剩余损耗的控制难度较大 。
综上所述，非晶纳米晶材料的剩余损耗在低频时较低 ，随着频率升高逐渐上升，在高频段增长迅速且受多种因素影响 。在实际应用中 ，需要根据具体的工作频率范围，选择合适的非晶纳米晶材料和工艺，以降低剩余损耗 ，提高设备的性能和效率 。