温度对非晶纳米晶磁性材料磁滞回线的影响存在滞后性 ，主要原因如下 ：
一、磁畴结构调整滞后
温度变化时，非晶纳米晶磁性材料内部的磁畴结构需要重新调整以达到新的平衡状态。但磁畴壁的移动、磁畴的取向变化等过程并非瞬间完成，需要一定时间。例如 ，温度升高时，磁畴壁要克服各种阻碍因素（如杂质、缺陷等）才能实现移动和重新分布，这个过程相对缓慢，导致磁滞回线的变化滞后于温度变化 。
二 、热传递与热平衡建立滞后
在实际测量中，样品从一个温度状态转变到另一个温度状态时，热量需要在材料内部进行传递并达到热平衡。由于材料具有一定的热容量和热阻，这一过程需要时间 。在热平衡建立之前 ，材料内部不同区域的温度可能存在差异，这会影响磁畴结构和磁性参数的均匀性 ，进而使磁滞回线的变化表现出滞后性。
三、磁性弛豫现象
非晶纳米晶磁性材料存在磁性弛豫现象，即材料在受到温度等外界因素影响后，其磁性状态随时间逐渐变化并趋于稳定。当温度改变时，材料的磁性需要经过一段时间的弛豫才能达到与新温度相对应的稳定状态，这也导致了磁滞回线的变化滞后于温度变化。