进一步提高纳米晶软磁材料在高频下的磁导率 ，可从优化成分设计、改进制备工艺 、调整热处理方法及进行表面处理等方面着手，具体如下：
一、优化成分设计
1、添加微量元素
在纳米晶软磁材料中添加特定的微量元素，如铌（Nb）、铜（Cu）、钼（Mo）等，可有效抑制晶粒长大，形成更细小均匀的纳米晶结构。例如，适量的铌能提高材料的热稳定性，阻碍晶粒在高温下的粗化 ，使晶界增多 ，有利于磁畴壁的移动 ，进而提高高频磁导率。
2、调整主元素比例
精确调整铁（Fe）、硅（Si）、硼（B）等主元素的比例，以优化材料的晶体结构和磁性能 。研究发现，当铁基纳米晶材料中硅和硼的含量处于一定范围时 ，能够形成合适的非晶相和纳米晶相比例，提高材料的高频磁导率 。
二、改进制备工艺
1、采用快速凝固技术
通过快速凝固工艺，如单辊急冷法，使液态金属以极高的冷却速度凝固，能够形成均匀的非晶态结构，为后续的纳米晶化处理提供良好的基础 。快速凝固可以抑制粗大晶粒的形成，获得细小的初始组织，有利于在高频下获得较高的磁导率。
2、优化粉末冶金工艺
对于纳米晶软磁粉末材料 ，采用先进的粉末冶金工艺 ，如热等静压、注射成型等，可以提高材料的致密度，减少孔隙和缺陷。致密的材料结构有助于减少磁畴壁移动的阻碍 ，提高高频磁导率。同时 ，在粉末制备过程中，精确控制粉末的粒度分布和形状，也对提高磁导率有一定帮助。
三、调整热处理方法
1、精确控制退火温度和时间
退火处理是纳米晶软磁材料制备过程中的关键环节。通过精确控制退火温度和时间，使非晶态材料发生纳米晶化转变，形成均匀细小的纳米晶粒。例如，对于铁基纳米晶材料，在适当的温度范围内进行短时间退火，能够获得最佳的纳米晶结构，提高高频磁导率。如果退火温度过高或时间过长 ，可能导致晶粒长大 ，磁导率下降。
2、采用磁场退火
在退火过程中施加外部磁场，即磁场退火工艺 ，可以使纳米晶软磁材料内部的磁畴结构沿着磁场方向取向，降低磁晶各向异性，提高磁导率 。磁场退火能够有效地改善材料的磁性能 ，特别是在高频下的磁导率和损耗特性 。
四 、进行表面处理
1、绝缘涂层处理
在纳米晶软磁材料表面涂覆一层绝缘涂层，如氧化铝（Al₂O₃） 、二氧化硅（SiO₂）等，可以提高材料的电阻率 ，降低涡流损耗。在高频下，涡流损耗是导致磁导率下降的重要因素之一，通过降低涡流损耗，可以使材料在高频下保持较高的磁导率。
2、表面氧化处理
适当的表面氧化处理可以在材料表面形成一层薄的氧化层，这层氧化层不仅可以提高材料的耐腐蚀性，还可以对材料表面的磁畴结构产生影响，有利于磁畴壁的移动，从而提高高频磁导率。